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Actualmente los smartphones y tabletas cuentan con versiones de hasta 64 GB de almacenamiento interno, aunque lo más habitual es encontrar modelos con 16 GB
porque actualmente se coloca como la opción más equilibrada entre
precio y prestaciones. Sin embargo, una nueva tecnología podría cambiar
drásticamente todo lo visto hasta ahora ya que investigadores de la
Universidad Rice, en Houston, ha comprobado que la memoria del tipo RRAM hará posible en poco tiempo disponer de hasta 1 TB en un chip del tamaño de un sello.
Durante los últimos años hemos asistido a un importante avance
tecnológico en el negocio de los smartphones. Los componentes de estos
dispositivos electrónicos han evolucionado de forma notoria. No tenemos
más que analizar elementos como las pantallas, que han pasado de tamaños
y resoluciones ínfimas a un display con más de cinco pulgadas y 2.560 x
1.440 píxeles. Las cámaras también han sido objeto de una importante
mejora en calidad fotográfica, además de la consecución de grabación de
vídeo a 4K. Tampoco escapan al avance tecnológico los procesadores, de
los que actualmente podemos ver chips con ocho núcleos a velocidades de
trabajo superiores a los 2.5 GHz y potentes GPU integradas. Sin embargo,
la memoria interna de los teléfonos y tabletas no han experimentado un
avance tan significativo.
Se llama memoria RRAM
Esto estaría a punto de cambiar gracias a la investigación llevada a cabo por un grupo de científicos de la Universidad Rise, en Texas, que han logrado fabricar chips RRAM del tamaño de un sello con una densidad de almacenamiento 50 veces superior a la que ofrecen las memorias NAND flash.
El secreto ha sido el hallazgo de una estructura de óxido de silicio
que combinada con metales como el oro o la plata constituyen un módulo
de memoria más eficiente y rápido que las actuales memorias flash. El
fundamento es relativamente sencillo puesto que se basa en las
propiedades dieléctricas del silicio y el campo eléctrico generado por
dos bornes metálicos. Y es que las oquedades presentes en el óxido de
silicio sirven de “pasarela” de las corrientes eléctricas generadas por
los polos. Este paso de corriente se puede convertir en un sistema
binario con el que interpretar ceros y unos.
Más capacidad, mayor rendimiento…
Sin embargo, el verdadero descubrimiento que hace realmente
interesante la tecnología RRAM es la pequeña diferencia de potencial
necesaria, unos dos voltios, que hacen de esta memoria un chip muy
eficiente. Asimismo, la base de su funcionamiento deriva en unas
velocidades de lectura y escritura muy por encima de lo visto
actualmente, incluso en los SSD. Por tanto, además de eficiente, la
memoria RRAM será especialmente rápida, lo cual se traduce en
transferencias de datos más “fluidas”. Como ya hemos dicho
anteriormente, otra de las virtudes de este tipo de memoria es la alta
densidad, ya que se pueden almacenar hasta nueve bits por célula. Esta
característica hace que la memoria RRAM sea hasta 50 veces más densa y
de ahí que sea posible incluir hasta 1 TB de capacidad en un chip que no
ocupa más que un sello de correos.
…y más económica
Por si fuera poco, la fabricación de este chip de memoria no requiere
una cadena de producción muy sofisticada. Este detalle y la abundancia
del silicio hace que su producción sea especialmente económica, tanto
que varios fabricantes ya se han interesado por esta tecnología para
registrarla y utilizarla en sus dispositivos electrónicos. Por tanto, no
debemos sorprendernos si en los próximos años la capacidad de
almacenamiento de las futuras generaciones de smartphones y tabletas se
multiplica por 50 hasta alcanzar 1 TB, 1024 GB.
Fuente: omicrono
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