Samsung presenta al primer chip del mercado con 1 TB de capacidad para teléfonos móviles

Con el paso del tiempo, además de las mejoras en las prestaciones fotográficas, entre otros aspectos, los dispositivos móviles también han ido ganando en capacidad de almacenamiento interno, llegando a un punto de que incluso muchos modelos ya prescinden de ampliación de memoria externa mediante el uso de tarjetas microSD, aunque la situación va a ir a más.
Prueba de ello lo tenemos en el nuevo anuncio de Samsung, que ha señalado que ha comenzado a producir en serie su nuevo chip de almacenamiento de 1 TB de capacidad, llegando tan solo cuatro años después de que lanzará su chip de almacenamiento interno eUFS de 128 GB.

Con ello, Samsung no sólo ha logrado superar la barrera del terabyte de capacidad de almacenamiento, sino que además ha logrado que su nuevo chip de almacenamiento interno llegue a ser incluso más rápido que las actuales unidades SSD SATA de 2,5″ usado en ordenadores, llegando a doblar su velocidad de lectura secuencial.
Apunta además a que la velocidad de lectura aleatoria ha aumentado hasta un 38% con respecto a la versión de 512 GB, e incluso las escrituras aleatorias son hasta 500 veces más rápidas que en las tarjetas microSD de alto rendimiento.
Con ello, queda claro que podríamos ir olvidándonos de las expansiones por microSD de aquellos modelos que cuenten con este chip de almacenamiento interno. Samsung señala que su chip eUFS de 1 TB dobla la capacidad con respecto a la versión anterior, de 512 GB, al combinar 16 capas apiladas de memoria flash V-NAND más avanzada de 512 Gb (gigabits) de Samsung.
Se rumorea que este nuevo chip podría aparecer en el nuevo Galaxy S10. Samsung se ha comprometido a fabricar unidades suficientes para atender la fuerte demanda anticipada del misma.